IBS, 원자를 바꿔 한 박막에 여러 성질 구현하는 트랜지스터 기술 개발
전류 점멸비 1,000만 배 이상, 등가산화막두께 1nm 미만을 보였다고 해요.
배경 설명
과학기술정보통신부는 10월 16일 기초과학연구원(IBS) 연구진이 원자층을 정밀하게 가공해 반도체, 절연체, 준금속 영역을 하나의 박막에 구현하는 모듈형 트랜지스터 제작 기술을 개발했다고 밝혔어요. 2차원 반도체인 이셀레늄화텅스텐 박막에서 원하는 층의 셀레늄 원자를 산소, 황, 텔루륨으로 선택해 바꾸고, 공정 마스크로 평면상 위치도 조절해요. 이 기술로 만든 트랜지스터는 전하 주입 장벽이 35.5meV로 낮아졌고 전류 점멸비는 1,000만 배 이상, 등가산화막두께는 1nm 미만이었어요. 상보형 인버터는 1V에서 동작을 시연했어요. 정부는 다양한 2차원 반도체와 대면적 공정, 적층형 집적회로로 확장할 가능성을 살펴볼 계획이에요.